IRS2108PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRS2108PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRS2108PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 電源電圧 - | 10V ~ 20V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PDIP | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 100ns, 35ns | |
| パッケージ/ケース | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 2 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 2.5V | |
| 入力タイプ | Inverting, Non-Inverting | |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600 V | |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | Half-Bridge | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 290mA, 600mA | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent | |
| 基本製品番号 | IRS2108 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRS2108PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRS2108PBF | IRS2106STRPBF | IRS21094STRPBF | IRS21094SPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 電源電圧 - | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V |
| 入力タイプ | Inverting, Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 290mA, 600mA | 290mA, 600mA | 290mA, 600mA | 290mA, 600mA |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 駆動構成 | Half-Bridge | High-Side or Low-Side | Half-Bridge | Half-Bridge |
| 入力周波数 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| パッケージ/ケース | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| 基本製品番号 | IRS2108 | IRS2106 | IRS21094 | IRS21094 |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 100ns, 35ns | 100ns, 35ns | 100ns, 35ns | 100ns, 35ns |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 2.5V |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PDIP | 8-SOIC | 14-SOIC | 14-SOIC |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent | Independent | Synchronous | Synchronous |
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IRS2106STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
IRS2108RIRIRS21094SIRIRS21094STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICIRS2108IRIRS21094SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICIRS2106SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOICIRS21084SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICIRS2108STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIRS21091SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIRS2106SIR
IRS21084PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIPIRS2106PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIPIRS21091STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIRS21084SIRIRS21084STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICIRS21094PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIPIRS2109PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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