画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
IRLZ44Z - Infineon Technologies
- メーカー 部品型番
- IRLZ44Z
- Allelco 部品型番
- 32D-IRLZ44Z
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-220-3
- データシート
IRLZ44Z.pdf
- 在庫あり: 4110
IRLZ44Zの技術仕様
Infineon Technologies - IRLZ44Z技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRLZ44Z仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±16V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 13.5mOhm @ 31A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 80W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1620 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 36 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 51A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRLZ44Zと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRLZ44Z | IRLZ44SPBF | IRLZ44ZS | IRLZ44STRR |
| メーカー | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 2V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| 電力消費（最大） | 80W (Tc) | 3.7W (Ta), 150W (Tc) | 80W (Tc) | 3.7W (Ta), 150W (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1620 pF @ 25 V | 3300 pF @ 25 V | 1620 pF @ 25 V | 3300 pF @ 25 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 51A (Tc) | 50A (Tc) | 51A (Tc) | 50A (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4V, 5V | 4.5V, 10V | 4V, 5V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 36 nC @ 5 V | 66 nC @ 5 V | 36 nC @ 5 V | 66 nC @ 5 V |
| シリーズ | HEXFET® | - | HEXFET® | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 13.5mOhm @ 31A, 10V | 28mOhm @ 31A, 5V | 13.5mOhm @ 31A, 10V | 28mOhm @ 31A, 5V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | D²PAK (TO-263) | D2PAK | D²PAK (TO-263) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | 60 V | 55 V | 60 V |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±16V | ±10V | ±16V | ±10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
IRLZ44Z - Infineon TechnologiesのIRLZ44Z PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRLZ44SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 50A D2PAKIRLZ44ZSInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
IRLZ44Z MOSIRIRLZ44NSTRR MOSIRIRLZ44S MOSIRIRLZ44STRRVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 50A D2PAKIRLZ44ZS MOSIR
IRLZ44NSTRRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 47A D2PAKIRLZ44NSTRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 47A D2PAKIRLZ44STRRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 50A D2PAKIRLZ44ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 51A D2PAKIRLZ44RBIRIRLZ44ZLInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 51A TO262IRLZ44ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 51A TO220ABIRLZ44PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 50A TO220ABIRLZ44SVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 50A D2PAKIRLZ44ZLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 51A TO262IRLZ44NSTRPBF.IR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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