IRLR4343PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRLR4343PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRLR4343PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 50mOhm @ 4.7A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 79W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 740 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 26A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRLR4343PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRLR4343PBF | IRLR4132TRPBF | IRLR6225PBF | IRLR4343TRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies |
| シリーズ | HEXFET® | * | HEXFET® | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 50mOhm @ 4.7A, 10V | - | 4mOhm @ 21A, 4.5V | 50mOhm @ 4.7A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 740 pF @ 50 V | - | 3770 pF @ 10 V | 740 pF @ 50 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | - | 20 V | 55 V |
| Vgs（最大） | ±20V | - | ±12V | ±20V |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 装着タイプ | Surface Mount | - | Surface Mount | Surface Mount |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | - | - | 4.5V, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 26A (Tc) | - | 100A (Tc) | 26A (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | - | 1.1V @ 50µA | 1V @ 250µA |
| FETタイプ | N-Channel | - | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 42 nC @ 10 V | - | 72 nC @ 4.5 V | 42 nC @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 79W (Tc) | - | 63W (Tc) | 79W (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak | - | TO-252AA | D-Pak |
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) |
IRLR4343PBF - Infineon TechnologiesのIRLR4343PBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRLR4343TRPBF.IRIRLR4343TRLPBFIRIRLR3915 MOSIRIRLR4132TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 160A DPAKIRLR3915TRPBF MOSIRIRLR6225PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 20V 100A DPAKIRLR4343TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 26A DPAKIRLR3802TRPBFInternational RectifierIRLR3802 - HEXFET POWER MOSFETIRLR6225IR/VISHAYIRLR3802PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 12V 84A DPAKIRLR6225TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 100A DPAKIRLR3915TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 30A DPAKIRLR6225TRPBF MOSIRIRLR4343TRLPBF MOSIRIRLR4343Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 26A DPAKIRLR6225PBF MOSIRIRLR3915IRIRLR3915PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 30A DPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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