IRLR3715ZTRの技術仕様
Infineon Technologies - IRLR3715ZTR技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRLR3715ZTR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.55V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 11mOhm @ 15A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 40W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 810 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 11 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 49A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRLR3715ZTRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRLR3715ZTR | IRLR3715TRL | IRLR3715Z | IRLR3715ZTRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| FET特長 | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak | D-Pak | D-Pak | D-Pak |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 11mOhm @ 15A, 10V | 14mOhm @ 26A, 10V | 11mOhm @ 15A, 10V | 11mOhm @ 15A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 40W (Tc) | 3.8W (Ta), 71W (Tc) | 40W (Tc) | 40W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.55V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2.55V @ 250µA | 2.55V @ 250µA |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 11 nC @ 4.5 V | 17 nC @ 4.5 V | 11 nC @ 4.5 V | 11 nC @ 4.5 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 49A (Tc) | 54A (Tc) | 49A (Tc) | 49A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 810 pF @ 10 V | 1060 pF @ 10 V | 810 pF @ 10 V | 810 pF @ 10 V |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
IRLR3715ZTR - Infineon TechnologiesのIRLR3715ZTR PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRLR3715TRLInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 54A DPAK
IRLR3802IRIRLR3715Z MOSIRIRLR3717IRIRLR3715ZInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 49A DPAKIRLR3715ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 49A DPAKIRLR3717PBF MOSIRIRLR3715Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 54A DPAKIRLR3715ZCTRPBFIR
IRLR3715ZTR LR3715ZElectro-Films (EFI) / VishayIRLR3715ZCIRIRLR3717TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 120A DPAKIRLR3717PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 120A DPAKIRLR3715PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 54A DPAKIRLR3715ZCPBFIRIRLR3715ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 49A DPAKIRLR3715ZTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 49A DPAKIRLR3715ZTRPFIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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