IRLR2908TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRLR2908TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRLR2908TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±16V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 28mOhm @ 23A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 120W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1890 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 33 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRLR2908 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRLR2908TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRLR2908TRPBF | IRLR2908TRLPBF | IRLR2905ZTRPBF | IRLR3103PBF |
| メーカー | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 電力消費（最大） | 120W (Tc) | 120W (Tc) | 110W (Tc) | 107W (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| Vgs（最大） | ±16V | ±16V | ±16V | ±16V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 3V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 33 nC @ 4.5 V | 33 nC @ 4.5 V | 35 nC @ 5 V | 50 nC @ 4.5 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80 V | 80 V | 55 V | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Tc) | 30A (Tc) | 42A (Tc) | 55A (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak | D-Pak | D-Pak | D-Pak |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 28mOhm @ 23A, 10V | 28mOhm @ 23A, 10V | 13.5mOhm @ 36A, 10V | 19mOhm @ 33A, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 基本製品番号 | IRLR2908 | - | IRLR2905 | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1890 pF @ 25 V | 1890 pF @ 25 V | 1570 pF @ 25 V | 1600 pF @ 25 V |
IRLR2908TRPBF - Infineon TechnologiesのIRLR2908TRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRLR2908TRLPBFInternational RectifierIRLR2908 - HEXFET POWER MOSFETIRLR2905ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 42A DPAKIRLR3103PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 55A DPAK
IRLR2950TRIRIRLR2905TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 42A DPAKIRLR2905ZTRPBF.IRIRLR2905ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 42A DPAKIRLR3103TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 55A DPAKIRLR3103TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 55A DPAKIRLR3103 MOSIRIRLR2908PBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFET
IRLR3103TRPBF MOSFairchild (onsemi)IRLR3103Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 55A DPAKIRLR2908IRIRLR2905TRPBF.IRIRLR2905ZInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 42A DPAKIRLR3103TRRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 55A DPAKIRLR3103TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 55A DPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をショッピングカートに追加してください。すぐにご連絡いたします。