IRLR024NTRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRLR024NTRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRLR024NTRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±16V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 65mOhm @ 10A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 45W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 480 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 17A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRLR024 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRLR024NTRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRLR024NTRPBF | IRLR024TRPBF | IRLR024TR | IRLR024 |
| メーカー | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | 4V, 5V | 4V, 5V | 4V, 5V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 17A (Tc) | 14A (Tc) | 14A (Tc) | 14A (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±16V | ±10V | ±10V | ±10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| 基本製品番号 | IRLR024 | IRLR024 | IRLR024 | IRLR024 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15 nC @ 5 V | 18 nC @ 5 V | 18 nC @ 5 V | 18 nC @ 5 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 480 pF @ 25 V | 870 pF @ 25 V | 870 pF @ 25 V | 870 pF @ 25 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 65mOhm @ 10A, 10V | 100mOhm @ 8.4A, 5V | 100mOhm @ 8.4A, 5V | 100mOhm @ 8.4A, 5V |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| シリーズ | HEXFET® | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 45W (Tc) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak | D-Pak | D-Pak | D-Pak |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
IRLR024NTRPBF - Infineon TechnologiesのIRLR024NTRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRLR024TRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 14A DPAK
IRLR024N LR024NIRIRLR024N MOSIRIRLR024NTRIRIRLR024ZIRIRLR024TRVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 14A DPAK
IRLR024NTRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRLR024Z MOSIRIRLR024NTRPBCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRLR024NIRIRLR024Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 14A DPAKIRLR024NTRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 17A DPAKIRLR024NTR MOSIRIRLR024NTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 17A DPAKIRLR024TRLPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 14A DPAKIRLR024TRLVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 14A DPAKIRLR024NPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 17A DPAKIRLR024PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 14A DPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をショッピングカートに追加してください。すぐにご連絡いたします。