IRLMS2002の技術仕様
Infineon Technologies - IRLMS2002技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRLMS2002仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±12V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | Micro6™(SOT23-6) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 30mOhm @ 6.5A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1310 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.5A (Ta) | |
| 基本製品番号 | IRLMS200 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRLMS2002と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRLMS2002 | IRLMS1503TRPBF | IRLMS4502TR | IRLMS1902TRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.5A (Ta) | 3.2A (Ta) | 5.5A (Ta) | 3.2A (Ta) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22 nC @ 5 V | 9.6 nC @ 10 V | 33 nC @ 5 V | 7 nC @ 4.5 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | Micro6™(SOT23-6) | Micro6™(TSOP-6) | Micro6™(TSOP-6) | Micro6™(TSOP-6) |
| 基本製品番号 | IRLMS200 | IRLMS1503 | - | IRLMS1902 |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) | 1.7W (Ta) | 1.7W (Ta) | 1.7W (Ta) |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | 1V @ 250µA | 600mV @ 250µA (Min) | 700mV @ 250µA (Min) |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 | SOT-23-6 | SOT-23-6 | SOT-23-6 |
| Vgs（最大） | ±12V | ±20V | ±12V | ±12V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1310 pF @ 15 V | 210 pF @ 25 V | 1820 pF @ 10 V | 300 pF @ 15 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V | 2.5V, 4.5V | 2.7V, 4.5V |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 30 V | 12 V | 20 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 30mOhm @ 6.5A, 4.5V | 100mOhm @ 2.2A, 10V | 42mOhm @ 5.5A, 4.5V | 100mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
IRLMS2002 - Infineon TechnologiesのIRLMS2002 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRLMS1503TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6
IRLMS1503TRPBF MOSIRIRLMS4502TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 12V 5.5A MICRO6IRLMS2002TRPDFIRIRLMS1902TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6IRLMS2002TRPBF MOSIRIRLMS1503GTRPBFIR
IRLMS2005TRPBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRLMS1503TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOPIRLMS4802TRIRIRLMS2002TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOPIRLML9303GTRPBFIRIRLMS2002TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6IRLMS4502TRPBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRLMS1902TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6IRLMLS6802TRIR
IRLML9303TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23IRLMS4502IR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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