IRLML6401TRの技術仕様
Infineon Technologies - IRLML6401TR技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRLML6401TR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 950mV @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | Micro3™/SOT-23 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 50mOhm @ 4.3A, 4.5V | |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| パッケージ | Cut Tape (CT) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 830 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.3A (Ta) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRLML6401TRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRLML6401TR | IRLML6401TRPBF | IRLML6402TR | IRLML6346TRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V | 12 V | 20 V | 30 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15 nC @ 5 V | 15 nC @ 5 V | 12 nC @ 5 V | 2.9 nC @ 4.5 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | Micro3™/SOT-23 | Micro3™/SOT-23 | Micro3™/SOT-23 | Micro3™/SOT-23 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 830 pF @ 10 V | 830 pF @ 10 V | 633 pF @ 10 V | 270 pF @ 24 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.3A (Ta) | 4.3A (Ta) | 3.7A (Ta) | 3.4A (Ta) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 50mOhm @ 4.3A, 4.5V | 50mOhm @ 4.3A, 4.5V | 65mOhm @ 3.7A, 4.5V | 63mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 950mV @ 250µA | 950mV @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 1.1V @ 10µA |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
| シリーズ | - | HEXFET® | - | HEXFET® |
| パッケージ | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
IRLML6401TR - Infineon TechnologiesのIRLML6401TR PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRLML6344GTRPBFVBSEMIIRLML6401TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23IRLML6401TRPIRIRLML6346IRIRLML6402TR(EEA)IRIRLML6401TRPBF-1IRIRLML6401TRPBF.IRIRLML6402TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23IRLML6346TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23IRLML6402GTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
IRLML6344TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IRLML6401GTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3IRLML6346TRIRIRLML6344TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23IRLML6401IRIRLML6402GPBFIRIRLML6402SIPUSEMIIRLML6401/F7URVIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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