IRLML6302GTRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRLML6302GTRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRLML6302GTRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 電圧 - テスト | 97pF @ 15V | |
| 電圧 - ブレークダウン | Micro3™/SOT-23 | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 600 mOhm @ 610mA, 4.5V | |
| Vgs（最大） | 2.7V, 4.5V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| RoHSステータス | Cut Tape (CT) | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 780mA (Ta) | |
| 偏光 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 他の名前 | IRLML6302GTRPBFCT | |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | |
| メーカーの標準リードタイム | 10 Weeks | |
| 製造元の部品番号 | IRLML6302GTRPBF | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3.6nC @ 4.5V | |
| IGBTタイプ | ±12V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.5V @ 250µA | |
| FET特長 | P-Channel | |
| 拡張された説明 | P-Channel 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - | |
| 説明 | MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3 | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20V | |
| 静電容量比 | 540mW (Ta) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRLML6302GTRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRLML6302GTRPBF | IRLML6346TRPBF | IRLML6244TRPBF | IRLML6302TRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| FET特長 | P-Channel | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.5V @ 250µA | 2.9 nC @ 4.5 V | 8.9 nC @ 4.5 V | 3.6 nC @ 4.45 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3.6nC @ 4.5V | 270 pF @ 24 V | 700 pF @ 16 V | 97 pF @ 15 V |
| IGBTタイプ | ±12V | - | - | - |
| 説明 | MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3 | - | - | - |
| RoHSステータス | Cut Tape (CT) | - | - | - |
| Vgs（最大） | 2.7V, 4.5V | ±12V | ±12V | ±12V |
| メーカーの標準リードタイム | 10 Weeks | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 780mA (Ta) | 63mOhm @ 3.4A, 4.5V | 21mOhm @ 6.3A, 4.5V | 600mOhm @ 610mA, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - | 30 V | 20 V | 20 V |
| 拡張された説明 | P-Channel 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 600 mOhm @ 610mA, 4.5V | 1.1V @ 10µA | 1.1V @ 10µA | 1.5V @ 250µA |
| 偏光 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電圧 - テスト | 97pF @ 15V | - | - | - |
| 電圧 - ブレークダウン | Micro3™/SOT-23 | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 製造元の部品番号 | IRLML6302GTRPBF | - | - | - |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| 静電容量比 | 540mW (Ta) | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20V | 3.4A (Ta) | 6.3A (Ta) | 780mA (Ta) |
| 他の名前 | IRLML6302GTRPBFCT | - | - | - |
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IRLML5203TRPBF/HCD9PIRIRLML6346TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23IRLML6302 MOSIR
IRLML5301TRPBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRLML6244GTRPBFVBSEMIIRLML6244TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23IRLML5703TRPBFIRIRLML6302TR PBFIRIRLML6344TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRLML6302TRPBF-1IRIRLML6302TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 780MA SOT23IRLML6344TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23IRLML6246TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23IRLML6344GTRPBFVBSEMIIRLML6246IRIRLML5203TRPBF.IRIRLML6302SIPUSEMIIRLML6302TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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