IRLL2705TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRLL2705TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRLL2705TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±16V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 40mOhm @ 3.8A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 870 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 48 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.8A (Ta) | |
| 基本製品番号 | IRLL2705 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRLL2705TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRLL2705TRPBF | IRLL2705PBF | IRLL2705TR | IRLL2703PBF |
| メーカー | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.8A (Ta) | 3.8A (Ta) | 3.8A (Ta) | 3.9A (Ta) |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | - | HEXFET® |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | 55 V | 55 V | 30 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 40mOhm @ 3.8A, 10V | 40mOhm @ 3.8A, 10V | 40mOhm @ 3.8A, 10V | 45mOhm @ 3.9A, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | 4V, 10V | - | 4V, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 870 pF @ 25 V | 870 pF @ 25 V | 870 pF @ 25 V | 530 pF @ 25 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Cut Tape (CT) | Tube |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 48 nC @ 10 V | 48 nC @ 10 V | 48 nC @ 10 V | 14 nC @ 5 V |
| 基本製品番号 | IRLL2705 | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 1W (Ta) | 1W (Ta) | - | 1W (Ta) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 | SOT-223 | SOT-223 | SOT-223 |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2.4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±16V | ±16V | - | ±16V |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
IRLL2705TRPBF - Infineon TechnologiesのIRLL2705TRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRLL3303TRPBF MOSIRIRLL2705PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223IRLL2703TRPBF MOSIRIRLL2705TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223IRLL2703PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223IRLL2703TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223IRLL2705IRIRLL3303TRPBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRLL3303Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223IRLL2705 MOSIRIRLL2705TRPBF MOSIRIRLL1905TRPBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRLL3303PBF MOSIRIRLL3303PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223IRLL2703 MOSIRIRLL3303TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223IRLL2703Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223IRLL6403TRPBFIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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