IRLL024ZPBFの技術仕様
International Rectifier - IRLL024ZPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInternational Rectifier - IRLL024ZPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±16V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 60mOhm @ 3A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 380 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 11 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5A (Tc) |
右側の三つのパーツはInternational Rectifier IRLL024ZPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRLL024ZPBF | IRLL024NPBF | IRLL110 | IRLL110PBF |
| メーカー | International Rectifier | International Rectifier | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | - | 4V, 5V | 4V, 5V |
| 電力消費（最大） | 1W (Ta) | 1W (Ta) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 380 pF @ 25 V | 510 pF @ 25 V | 250 pF @ 25 V | 250 pF @ 25 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 60mOhm @ 3A, 10V | 65mOhm @ 3.1A, 10V | 540mOhm @ 900mA, 5V | 540mOhm @ 900mA, 5V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 11 nC @ 5 V | 15.6 nC @ 5 V | 6.1 nC @ 5 V | 6.1 nC @ 5 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 | SOT-223 | SOT-223 | SOT-223 |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | 55 V | 100 V | 100 V |
| Vgs（最大） | ±16V | ±16V | ±10V | ±10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5A (Tc) | 3.1A (Ta) | 1.5A (Tc) | 1.5A (Tc) |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Tube | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
IRLL024NPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223IRLL024ZTRPBF.IRIRLL110Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223IRLL110PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223IRLL014TRPBF MOSIR
IRLL110TRPBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRLL024NTRIRIRLL024NTRPBF MOSIRIRLL110TRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223IRLL024NTRPBF.IRIRLL024ZTRPBF MOSIRIRLL024ZInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 5A SOT223IRLL024NTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223IRLL024NIRIRLL024Z MOSIRIRLL024NQTRPBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRLL024ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 5A SOT223IRLL110TRVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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