IRLH6224TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRLH6224TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRLH6224TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.1V @ 50µA | |
| Vgs（最大） | ±12V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3mOhm @ 20A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 3.6W (Ta), 52W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3710 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 86 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 28A (Ta), 105A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRLH6224 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRLH6224TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRLH6224TRPBF | IRLHM620TRPBF | IRLH7134TRPBF | IRLHM630TRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount, Wettable Flank | Surface Mount |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 28A (Ta), 105A (Tc) | 26A (Ta), 40A (Tc) | 26A (Ta), 50A (Tc) | 21A (Ta), 40A (Tc) |
| 基本製品番号 | IRLH6224 | IRLHM620 | - | IRLHM630 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.1V @ 50µA | 1.1V @ 50µA | 2.5V @ 100µA | 1.1V @ 50µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerVDFN | 8-VQFN Exposed Pad |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | PQFN (3x3) | PG-TDSON-8-10 | PQFN (3x3) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 20 V | 40 V | 30 V |
| Vgs（最大） | ±12V | ±12V | ±16V | ±12V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 10V | - | 2.5V, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 86 nC @ 10 V | 78 nC @ 4.5 V | 58 nC @ 4.5 V | 62 nC @ 4.5 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3710 pF @ 10 V | 3620 pF @ 10 V | 3720 pF @ 25 V | 3170 pF @ 25 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3mOhm @ 20A, 4.5V | 2.5mOhm @ 20A, 4.5V | 3.3mOhm @ 50A, 10V | 3.5mOhm @ 20A, 4.5V |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 3.6W (Ta), 52W (Tc) | 2.7W (Ta), 37W (Tc) | 3.6W (Ta), 104W (Tc) | 2.7W (Ta), 37W (Tc) |
IRLH6224TRPBF - Infineon TechnologiesのIRLH6224TRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRLHM620TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFNIRLH7134TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 26A/50A TDSON0IRLHM630TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFNIRLH5034TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 100A 5X6 PQFN
IRLD120PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIPIRLH5030TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFNIRLD120Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIPIRLHM630IRFIRLHM630TRPBF.IRIRLH5036TRPBF MOSIRIRLHM630TR2PBF.IRIRLH7134TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 26A 8PQFNIRLH6224TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MMIRLH5030TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRLHM620TRPBF MOSIRIRLHM620TRPBF M620Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRLH5034TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 29A/100A 8PQFNIRLH5036TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 20A/100A 8PQFN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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