IRLB3036PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRLB3036PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRLB3036PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±16V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.4mOhm @ 165A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 380W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 11210 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 140 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 195A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRLB3036 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRLB3036PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRLB3036PBF | IRLB3813PBF | IRLB4030PBF | IRLB3034PBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 2.35V @ 150µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±16V | ±20V | ±16V | ±20V |
| 基本製品番号 | IRLB3036 | IRLB3813 | IRLB4030 | IRLB3034 |
| 電力消費（最大） | 380W (Tc) | 230W (Tc) | 370W (Tc) | 375W (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.4mOhm @ 165A, 10V | 1.95mOhm @ 60A, 10V | 4.3mOhm @ 110A, 10V | 1.7mOhm @ 195A, 10V |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 30 V | 100 V | 40 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 195A (Tc) | 260A (Tc) | 180A (Tc) | 195A (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 140 nC @ 4.5 V | 86 nC @ 4.5 V | 130 nC @ 4.5 V | 162 nC @ 4.5 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 11210 pF @ 50 V | 8420 pF @ 15 V | 11360 pF @ 50 V | 10315 pF @ 25 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
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IRL8748PBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IRLB3034IRIRLB3813PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 260A TO220ABIRLB3813PBF MOSIRIRLB4132 MOSIRIRLB3813IRIRLB4030PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 180A TO220ABIRLB3036GIRIRLB4132Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
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|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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