IRL7833PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRL7833PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRL7833PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.8mOhm @ 38A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 140W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4170 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 47 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 150A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRL7833 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRL7833PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRL7833PBF | IRL7486MTRPBF | IRL80HS120 | IRL640STRLPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 40 V | 80 V | 200 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4170 pF @ 15 V | 6904 pF @ 25 V | 540 pF @ 25 V | 1800 pF @ 25 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 150A (Tc) | 209A (Tc) | 12.5A (Tc) | 17A (Tc) |
| 電力消費（最大） | 140W (Tc) | 104W (Tc) | 11.5W (Tc) | 3.1W (Ta), 125W (Tc) |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET®, StrongIRFET™ | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.3V @ 250µA | 2.5V @ 150µA | 2V @ 10µA | 2V @ 250µA |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.8mOhm @ 38A, 10V | 1.25mOhm @ 123A, 10V | 32mOhm @ 7.5A, 10V | 180mOhm @ 10A, 5V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 47 nC @ 4.5 V | 111 nC @ 4.5 V | 7 nC @ 4.5 V | 66 nC @ 5 V |
| 基本製品番号 | IRL7833 | IRL7486 | IRL80HS120 | IRL640 |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4V, 5V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | DirectFET™ Isometric ME | 6-PowerVDFN | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | DirectFET™ Isometric ME | 6-PQFN (2x2) (DFN2020) | D²PAK (TO-263) |
IRL7833PBF - Infineon TechnologiesのIRL7833PBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRL7486MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET
IRL7833SPBF MOSIRIRL80HS120Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFNIRL7833LIRIRL640STRLPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
IRL7833SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 150A D2PAKIRL7833PBF.VBsemiIRL7472L1TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFETIRL8113Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 105A TO220ABIRL7833STRPBFIRIRL7833IRIRL7833LPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 150A TO262IRL80AOSRAMIRL7833 MOSIRIRL640STRRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 17A D2PAKIRL7833SPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 150A D2PAKIRL640STRPBFIRIRL7833STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 150A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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