IRL40B215の技術仕様
Infineon Technologies - IRL40B215技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRL40B215仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.4V @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.7mOhm @ 98A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 143W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5225 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 84 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRL40B215 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRL40B215と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRL40B215 | IRL510A | IRL510S | IRL3803STRL |
| メーカー | Infineon Technologies | onsemi | Vishay Siliconix | Infineon Technologies |
| 基本製品番号 | IRL40B215 | IRL51 | IRL510 | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 100 V | 100 V | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) | 5.6A (Tc) | 5.6A (Tc) | 140A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±10V | ±16V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | TO-220-3 | D²PAK (TO-263) | D2PAK |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.4V @ 100µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| 電力消費（最大） | 143W (Tc) | 37W (Tc) | 3.7W (Ta), 43W (Tc) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5225 pF @ 25 V | 235 pF @ 25 V | 250 pF @ 25 V | 5000 pF @ 25 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.7mOhm @ 98A, 10V | 440mOhm @ 2.8A, 5V | 540mOhm @ 3.4A, 5V | 6mOhm @ 71A, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 5V | 4V, 5V | 4.5V, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 84 nC @ 4.5 V | 8 nC @ 5 V | 6.1 nC @ 5 V | 140 nC @ 4.5 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| シリーズ | HEXFET®, StrongIRFET™ | - | - | HEXFET® |
IRL40B215 - Infineon TechnologiesのIRL40B215 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRL510AonsemiMOSFET N-CH 100V 5.6A TO220-3IRL510SVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAKIRL3803STRLInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 140A D2PAKIRL510SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
IRL40SC228Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 557A D2PAKIRL40SC209Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 478A D2PAKIRL510PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
IRL3803VSIR/VISHAYIRL510LVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 5.6A TO262-3IRL40S212Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 195A D2PAKIRL510Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 5.6A TO220ABIRL3803STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 140A D2PAKIRL3803VSPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
IRL3803STRRPBFInternational RectifierIRL3803STR - PLANAR <=40VIRL3803VIR/VISHAYIRL3803STRLPBF MOSIRIRL3803STRRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 140A D2PAKIRL40B212Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 195A TO220AB| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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