IRL3803PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRL3803PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRL3803PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±16V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6mOhm @ 71A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 200W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5000 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 140 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 140A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRL3803 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRL3803PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRL3803PBF | IRL3803STRR | IRL3803LPBF | IRL3803STRL |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vgs（最大） | ±16V | ±16V | ±16V | ±16V |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 基本製品番号 | IRL3803 | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 140A (Tc) | 140A (Tc) | 140A (Tc) | 140A (Tc) |
| 電力消費（最大） | 200W (Tc) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 140 nC @ 4.5 V | 140 nC @ 4.5 V | 140 nC @ 4.5 V | 140 nC @ 4.5 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5000 pF @ 25 V | 5000 pF @ 25 V | 5000 pF @ 25 V | 5000 pF @ 25 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6mOhm @ 71A, 10V | 6mOhm @ 71A, 10V | 6mOhm @ 71A, 10V | 6mOhm @ 71A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | D2PAK | TO-262 | D2PAK |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
IRL3803PBF - Infineon TechnologiesのIRL3803PBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRL3803STRRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 140A D2PAKIRL3803LPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 140A TO262IRL3803STRLInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
IRL3803 MOSIRIRL3803LIRIRL3803LPBF MOSIRIRL3803STRLPBF MOSIRIRL3803SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 140A D2PAKIRL3716PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 180A TO220ABIRL3803STRPBFIRIRL3716STRLIRIRL3716SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 180A D2PAKIRL3803SPBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRL3803S MOSIRIRL3803STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 140A D2PAKIRL3716SPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
IRL3803Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 140A TO220ABIRL3803PBF MOSIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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