IRL1404ZLの技術仕様
Infineon Technologies - IRL1404ZL技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRL1404ZL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.7V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±16V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-262 | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.1mOhm @ 75A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 230W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5080 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRL1404ZLと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRL1404ZL | IRL2203NL | IRL1404ZPBF | IRL1404ZSTRLPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-262 | TO-262 | TO-220AB | D2PAK |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5080 pF @ 25 V | 3290 pF @ 25 V | 5080 pF @ 25 V | 5080 pF @ 25 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.1mOhm @ 75A, 10V | 7mOhm @ 60A, 10V | 3.1mOhm @ 75A, 10V | 3.1mOhm @ 75A, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| Vgs（最大） | ±16V | ±16V | ±16V | ±16V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.7V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2.7V @ 250µA | 2.7V @ 250µA |
| 電力消費（最大） | 230W (Tc) | 3.8W (Ta), 180W (Tc) | 230W (Tc) | 230W (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 30 V | 40 V | 40 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 5 V | 60 nC @ 4.5 V | 110 nC @ 5 V | 110 nC @ 5 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Tc) | 116A (Tc) | 75A (Tc) | 75A (Tc) |
IRL1404ZL - Infineon TechnologiesのIRL1404ZL PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRL2203NLInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 116A TO262IRL1404ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 75A TO220ABIRL1404ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 75A D2PAKIRL1404ZIR/VISHAYIRL1404STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 160A D2PAKIRL1404LPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 160A TO262IRL1404ZSPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 75A D2PAKIRL1404ZPBF MOSIRIRL1404ZSInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 75A D2PAKIRL1404STRRPBFIRIRL1404LPBF.IRIRL1404ZS/L1404ZSIRIRL1404ZLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 120A TO262IRL1404SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 160A D2PAKIRL1404S MOSIRIRL1404PBF MOSIRIRL1404SPBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRL1404PBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFET| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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