IRFZ44VSの技術仕様
Infineon Technologies - IRFZ44VS技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFZ44VS仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 16.5mOhm @ 31A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 115W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1812 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 67 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 55A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFZ44VSと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFZ44VS | IRFZ44SPBF | IRFZ44PBF | IRFZ44VZSPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Infineon Technologies |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | D²PAK (TO-263) | TO-220AB | D2PAK |
| シリーズ | HEXFET® | - | - | HEXFET® |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1812 pF @ 25 V | 1900 pF @ 25 V | 1900 pF @ 25 V | 1690 pF @ 25 V |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 電力消費（最大） | 115W (Tc) | 3.7W (Ta), 150W (Tc) | 150W (Tc) | 92W (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 55A (Tc) | 50A (Tc) | 50A (Tc) | 57A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 16.5mOhm @ 31A, 10V | 28mOhm @ 31A, 10V | 28mOhm @ 31A, 10V | 12mOhm @ 34A, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 67 nC @ 10 V | 67 nC @ 10 V | 67 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V |
IRFZ44VS - Infineon TechnologiesのIRFZ44VS PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFZ44SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 50A D2PAKIRFZ44PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 50A TO220ABIRFZ44VZSPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 57A D2PAKIRFZ44VSTRRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 55A D2PAKIRFZ44SVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
IRFZ44VZInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 57A TO220ABIRFZ44VZSInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
IRFZ44VIRIRFZ44ZInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 51A TO220ABIRFZ44RPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
IRFZ44ZLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 51A TO262IRFZ44VSTRLPBFIRIRFZ44STRRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 50A D2PAKIRFZ44VSTRRPBFIRIRFZ44UPBFIRIRFZ44VPBF MOSIRIRFZ44RVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 50A TO220ABIRFZ44VPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 55A TO220AB| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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