IRFU3707の技術仕様
Infineon Technologies - IRFU3707技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFU3707仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | IPAK (TO-251AA) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 13mOhm @ 15A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 87W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1990 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 19 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 61A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFU3707と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFU3707 | IRFU3708 | IRFU3709ZPBF | IRFU3706 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Vgs（最大） | ±20V | ±12V | ±20V | ±12V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 61A (Tc) | 61A (Tc) | 86A (Tc) | 75A (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2.25V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 13mOhm @ 15A, 10V | 12.5mOhm @ 15A, 10V | 6.5mOhm @ 15A, 10V | 9mOhm @ 15A, 10V |
| 電力消費（最大） | 87W (Tc) | 87W (Tc) | 79W (Tc) | 88W (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1990 pF @ 15 V | 2417 pF @ 15 V | 2330 pF @ 15 V | 2410 pF @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 20 V |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 19 nC @ 4.5 V | 24 nC @ 4.5 V | 26 nC @ 4.5 V | 35 nC @ 4.5 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | IPAK (TO-251AA) | IPAK (TO-251AA) | IPAK (TO-251AA) | IPAK (TO-251AA) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 2.8V, 10V | 4.5V, 10V | 2.8V, 10V |
IRFU3707 - Infineon TechnologiesのIRFU3707 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFU3708Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 61A IPAKIRFU3709ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 86A IPAKIRFU3607 MOSIRIRFU3707Z MOSIRIRFU3706Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 75A IPAKIRFU3706PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 75A IPAKIRFU3707ZPBFInternational RectifierIRFU3707 - HEXFET N-CHANNELIRFU3518TRL-701PBFIRIRFU3518PBF MOSIRIRFU3704ZIRIRFU3709Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 90A IPAKIRFU3707ZIRIRFU3706TRL-701 MOSIRIRFU3607PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 56A IPAKIRFU3704Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 75A IPAKIRFU3710ZInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 42A IPAKIRFU3708 MOSIRIRFU3607IR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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