IRFU3303の技術仕様
Infineon Technologies - IRFU3303技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFU3303仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | IPAK (TO-251AA) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 31mOhm @ 18A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 57W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 750 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 33A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFU3303と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFU3303 | IRFU320PBF | IRFU3410 | IRFU310PBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | HEXFET® | - | HEXFET® | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | IPAK (TO-251AA) | TO-251AA | IPAK (TO-251AA) | TO-251AA |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 33A (Tc) | 3.1A (Tc) | 31A (Tc) | 1.7A (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 電力消費（最大） | 57W (Tc) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) | 3W (Ta), 110W (Tc) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 29 nC @ 10 V | 20 nC @ 10 V | 56 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 750 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V | 1690 pF @ 25 V | 170 pF @ 25 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 400 V | 100 V | 400 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 31mOhm @ 18A, 10V | 1.8Ohm @ 1.9A, 10V | 39mOhm @ 18A, 10V | 3.6Ohm @ 1A, 10V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
IRFU3303 - Infineon TechnologiesのIRFU3303 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFU320PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA
IRFU310AFairchild (onsemi)IRFU3410Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 31A IPAKIRFU330BFairchild (onsemi)IRFU3411IRIRFU3410PBF MOSIRIRFU310PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 1.7A TO251AAIRFU310BTUFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETIRFU3410PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 31A IPAKIRFU3411PBFVBSEMIIRFU320 MOSIRIRFU320AIRIRFU3412 MOSIRIRFU310PBF MOSIRIRFU3412IRIRFU3303PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 33A IPAKIRFU320Harris CorporationMOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AAIRFU320Vishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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