IRFU120NPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFU120NPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFU120NPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | IPAK (TO-251AA) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 210mOhm @ 5.6A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 48W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 330 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.4A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFU120 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFU120NPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFU120NPBF | IRFU120ZPBF | IRFU120ATU | IRFU1205 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Fairchild Semiconductor | Infineon Technologies |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 100 V | 55 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.4A (Tc) | 8.7A (Tc) | 8.4A (Tc) | 44A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 48W (Tc) | 35W (Tc) | 2.5W (Ta), 32W (Tc) | 107W (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 330 pF @ 25 V | 310 pF @ 25 V | 480 pF @ 25 V | 1300 pF @ 25 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | - | ±20V |
| 基本製品番号 | IRFU120 | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 25 nC @ 10 V | 10 nC @ 10 V | 22 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 210mOhm @ 5.6A, 10V | 190mOhm @ 5.2A, 10V | 200mOhm @ 4.2A, 10V | 27mOhm @ 26A, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| サプライヤデバイスパッケージ | IPAK (TO-251AA) | IPAK (TO-251AA) | I-PAK | IPAK (TO-251AA) |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | - | HEXFET® |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
IRFU120NPBF - Infineon TechnologiesのIRFU120NPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFU120NIRIRFU120ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 8.7A IPAKIRFU18N15DPBFVBSEMIIRFU120ATUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 8.4A IPAKIRFU1205Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 44A IPAKIRFU13N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 13A IPAKIRFU18N15DInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 18A IPAK
IRFU120Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AAIRFU120PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AAIRFU15N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 17A IPAKIRFU120A MOSFairchild (onsemi)IRFU1205PBFInternational RectifierHEXFET N-CHANNEL POWER MOSFETIRFU15N20DIR
IRFU120ATUonsemiMOSFET N-CH 100V 8.4A IPAKIRFU110PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AAIRFU120ATU MOSFairchild (onsemi)IRFU12N25DPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 14A IPAKIRFU13N15DPBFIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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