IRFTS9342TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFTS9342TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFTS9342TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.4V @ 25µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 40mOhm @ 5.8A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 595 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.8A (Ta) | |
| 基本製品番号 | IRFTS9342 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFTS9342TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFTS9342TRPBF | IRFU014PBF | IRFU014 | IRFTS8342TRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Infineon Technologies |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | SOT-23-6 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 595 pF @ 25 V | 300 pF @ 25 V | 300 pF @ 25 V | 560 pF @ 25 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.8A (Ta) | 7.7A (Tc) | 7.7A (Tc) | 8.2A (Ta) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | 2W (Ta) |
| 基本製品番号 | IRFTS9342 | IRFU014 | IRFU | IRFTS8342 |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP | TO-251AA | TO-251AA | 6-TSOP |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 40mOhm @ 5.8A, 10V | 200mOhm @ 4.6A, 10V | 200mOhm @ 4.6A, 10V | 19mOhm @ 8.2A, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12 nC @ 10 V | 11 nC @ 10 V | 11 nC @ 10 V | 4.8 nC @ 4.5 V |
| シリーズ | HEXFET® | - | - | HEXFET® |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 60 V | 60 V | 30 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.4V @ 25µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2.35V @ 25µA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
IRFTS9342TRPBF - Infineon TechnologiesのIRFTS9342TRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFU014PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
IRFT003IRIGBT ModuleIRFU014Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
IRFSZ24Fairchild (onsemi)IRFTS8342TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOPIRFT004IRIRFTS8342PBFVBsemiIRFSL9N60APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAKIRFU020PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 14A TO251AAIRFU020Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
IRFTS9342TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFSZ34AVBSEMIIRFU010TU MOSSAMIRFU020ASAMIRFU020NPBFVBsemiIRFTS8342TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFU020 MOSIRIRFU010ATUIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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