IRFSL3107PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFSL3107PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFSL3107PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-262 | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3mOhm @ 140A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 370W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9370 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 240 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 75 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 195A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFSL3107 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFSL3107PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFSL3107PBF | IRFSL3207 | IRFSL3004PBF | IRFSL11N50APBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 基本製品番号 | IRFSL3107 | - | - | IRFSL11 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-262 | TO-262 | TO-262 | TO-262-3 |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 75 V | 75 V | 40 V | 500 V |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 240 nC @ 10 V | 260 nC @ 10 V | 240 nC @ 10 V | 51 nC @ 10 V |
| 電力消費（最大） | 370W (Tc) | 330W (Tc) | 380W (Tc) | 190W (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9370 pF @ 50 V | 7600 pF @ 50 V | 9200 pF @ 25 V | 1426 pF @ 25 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±30V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 195A (Tc) | 180A (Tc) | 195A (Ta) | 11A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3mOhm @ 140A, 10V | 4.5mOhm @ 75A, 10V | 1.75mOhm @ 195A, 10V | 550mOhm @ 6.6A, 10V |
IRFSL3107PBF - Infineon TechnologiesのIRFSL3107PBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFSL3207Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 180A TO262IRFSL3004PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 195A TO262IRFSL3006IRIRFSL11N50APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 11A TO262-3IRFSL3306 MOSIRIRFSL23N15DInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 23A TO262IRFSL3207ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 120A TO262IRFS9N60AVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAKIRFSL3206PBF MOSIRIRFSL3607PBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRFS9N60APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAKIRFSL31N20DPBFIRIRFSL17N20DInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 16A TO262IRFS9N60ATRLPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAKIRFSL3306PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 120A TO262IRFSL3206PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 120A TO262IRFSL11N50AVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 11A TO262-3IRFSL23N20D102PInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 24A TO262| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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