IRFS7530PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFS7530PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFS7530PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.7V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | |
| シリーズ | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2mOhm @ 100A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 375W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 13703 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 411 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 195A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFS7530PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFS7530PBF | IRFS7530TRL7PP | IRFS7530TRLPBF | IRFS7440PBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 13703 pF @ 25 V | 12960 pF @ 25 V | 13703 pF @ 25 V | 4730 pF @ 25 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | PG-TO263-7 | PG-TO263-2 | TO-263 (D²Pak) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.7V @ 250µA | 3.7V @ 250µA | 3.7V @ 250µA | 3.9V @ 100µA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | 6V, 10V | 6V, 10V | 6V, 10V |
| 電力消費（最大） | 375W (Tc) | 375W (Tc) | 375W (Tc) | 208W (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 195A (Tc) | 240A (Tc) | 195A (Tc) | 120A (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 411 nC @ 10 V | 354 nC @ 10 V | 411 nC @ 10 V | 135 nC @ 10 V |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | HEXFET®, StrongIRFET™ | HEXFET®, StrongIRFET™ | HEXFET®, StrongIRFET™ | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 60 V | 60 V | 40 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2mOhm @ 100A, 10V | 1.4mOhm @ 100A, 10V | 2mOhm @ 100A, 10V | 2.5mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
IRFS7530PBF - Infineon TechnologiesのIRFS7530PBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFS7530-7PPBF MOSIRIRFS7530IR
IRFS7534-7PCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFS7530TRL7PPInfineon TechnologiesMOSFET N CH 60V 240A D2PAKIRFS7530TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N CH 60V 195A D2PAKIRFS7440PBFInfineon TechnologiesMOSFET N CH 40V 120A D2PAKIRFS7440TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N CH 40V 120A D2PAKIRFS7530-7PCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFS7440TRPBFVBSEMIIRFS7534PBFInfineon TechnologiesMOSFET N CH 60V 195A D2PAKIRFS7437TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N CH 40V 195A D2PAKIRFS7534TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N CH 60V 195A D2PAKIRFS7530TRLPBF MOSIRIRFS7440TRLPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFS7530-7PPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 60V 240A D2PAKIRFS7534TRL7PPInfineon TechnologiesMOSFET N CH 60V 240A D2PAKIRFS7534IRIRFS7537PBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFET| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をショッピングカートに追加してください。すぐにご連絡いたします。