IRFS4310ZTRLPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFS4310ZTRLPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFS4310ZTRLPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 150µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6mOhm @ 75A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 250W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6860 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 170 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFS4310 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFS4310ZTRLPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFS4310ZTRLPBF | IRFS4310PBF | IRFS4310TRLPBF | IRFS4321TRLPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6860 pF @ 50 V | 7670 pF @ 50 V | 7670 pF @ 50 V | 4460 pF @ 25 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 100 V | 150 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6mOhm @ 75A, 10V | 7mOhm @ 75A, 10V | 7mOhm @ 75A, 10V | 15mOhm @ 33A, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 170 nC @ 10 V | 250 nC @ 10 V | 250 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V |
| 電力消費（最大） | 250W (Tc) | 300W (Tc) | 300W (Tc) | 350W (Tc) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) | 130A (Tc) | 130A (Tc) | 85A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±30V |
| 基本製品番号 | IRFS4310 | - | IRFS4310 | IRFS4321 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 150µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | D2PAK | D2PAK | D2PAK |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
IRFS4310ZTRLPBF - Infineon TechnologiesのIRFS4310ZTRLPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFS4310TRLPBF MOSIRIRFS4310 MOSIRIRFS4310PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 130A D2PAKIRFS4310TRPBFIRIRFS4321TRLPBF MOSIRIRFS4310TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 130A D2PAKIRFS4321TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 85A D2PAKIRFS4321TRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
IRFS4321TRL7PPInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 86A D2PAK-7IRFS4310ZIRIRFS4310TRRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 130A TO263-3-2IRFS4321IRIRFS4321PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 85A D2PAKIRFS4310PBF MOSIRIRFS4321-7PCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFS4310ZTRLPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFS4310ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 120A TO263-3-2IRFS4310IR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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