IRFR6215PBFの技術仕様
International Rectifier - IRFR6215PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInternational Rectifier - IRFR6215PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 295mOhm @ 6.6A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 110W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 860 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 66 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 13A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Affected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInternational Rectifier IRFR6215PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFR6215PBF | IRFR6215TRLPBF | IRFR5505TRPBF | IRFR7440PBF |
| メーカー | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 295mOhm @ 6.6A, 10V | 295mOhm @ 6.6A, 10V | 110mOhm @ 9.6A, 10V | 2.4mOhm @ 90A, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | 150 V | 55 V | 40 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 13A (Tc) | 13A (Tc) | 18A (Tc) | 90A (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak | D-Pak | D-Pak | D-Pak |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 66 nC @ 10 V | 66 nC @ 10 V | 32 nC @ 10 V | 134 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 860 pF @ 25 V | 860 pF @ 25 V | 650 pF @ 25 V | 4610 pF @ 25 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3.9V @ 100µA |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 電力消費（最大） | 110W (Tc) | 110W (Tc) | 57W (Tc) | 140W (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
IRFR5505PBF MOSIRIRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 150V 13A DPAK
IRFR6215Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFR7440Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFR6215TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 18A DPAKIRFR7440PBFInfineon TechnologiesMOSFET N CH 40V 90A DPAKIRFR6215TRRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 150V 13A DPAKIRFR5505TRIRIRFR6215TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 150V 13A DPAKIRFR5505TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 18A DPAKIRFR6215TRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 150V 13A DPAKIRFR5505TRPBF MOSIRIRFR6401IRIRFR5505 MOSIRIRFR5505TRPBF.IRIRFR6215PBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFR5505PBFInternational RectifierPOWER MOSFET| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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