IRFR48ZPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFR48ZPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFR48ZPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 50µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-PAK (TO-252AA) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 11mOhm @ 37A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 91W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1720 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 42A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFR48ZPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFR48ZPBF | IRFR48ZTRPBF | IRFR4620TRLPBF | IRFR48ZTRLPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 50µA | 4V @ 50µA | 5V @ 100µA | 4V @ 50µA |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | 55 V | 200 V | 55 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1720 pF @ 25 V | 1720 pF @ 25 V | 1710 pF @ 50 V | 1720 pF @ 25 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 42A (Tc) | 42A (Tc) | 24A (Tc) | 42A (Tc) |
| 電力消費（最大） | 91W (Tc) | 91W (Tc) | 144W (Tc) | 91W (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 60 nC @ 10 V | 60 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 60 nC @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 11mOhm @ 37A, 10V | 11mOhm @ 37A, 10V | 78mOhm @ 15A, 10V | 11mOhm @ 37A, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-PAK (TO-252AA) | D-Pak | D-Pak | D-PAK (TO-252AA) |
IRFR48ZPBF - Infineon TechnologiesのIRFR48ZPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFR48ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IRFR48Z MOSIRIRFR4620TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 24A DPAKIRFR4620TRPBFIRIRFR4620IRIRFR48ZTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IRFR4620PBFInternational RectifierPFET, 24A I(D), 200V, 0.078OHM,IRFR5305TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 31A DPAKIRFR4615TRPBF MOSIRIRFR48ZIR/VISHAYIRFR5303IRIRFR5305IRIRFR5305TRLInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 31A DPAKIRFR5305PBFInternational RectifierAUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNELIRFR5305PBF MOSIRIRFR4620TRLPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFR5305 MOSIRIRFR4620 MOSIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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