IRFR3418PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFR3418PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFR3418PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14mOhm @ 18A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.8W (Ta), 140W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3510 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 94 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 70A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFR3418PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFR3418PBF | IRFR3412TRPBF | IRFR3504PBF | IRFR3412PBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 94 nC @ 10 V | 89 nC @ 10 V | 71 nC @ 10 V | 89 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3510 pF @ 25 V | 3430 pF @ 25 V | 2150 pF @ 25 V | 3430 pF @ 25 V |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 70A (Tc) | 48A (Tc) | 30A (Tc) | 48A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14mOhm @ 18A, 10V | 25mOhm @ 29A, 10V | 9.2mOhm @ 30A, 10V | 25mOhm @ 29A, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 3.8W (Ta), 140W (Tc) | 140W (Tc) | 140W (Tc) | 140W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5.5V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak | D-Pak | D-Pak | D-Pak |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80 V | 100 V | 40 V | 100 V |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
IRFR3418PBF - Infineon TechnologiesのIRFR3418PBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFR3418IRIRFR3504ZIR/VISHAYIRFR3504ZPBFIRIRFR3418 MOSIRIRFR3412TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 48A DPAKIRFR3504PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 30A DPAKIRFR3504IR/VISHAYIRFR3412PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 48A DPAK
IRFR350Samsung SemiconductorIRFR3411TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 32A DPAKIRFR3418TRLIRIRFR3415VBSEMIIRFR3504TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 30A DPAK
IRFR3411PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 32A DPAKIRFR3418TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 70A DPAKIRFR3411TRPBF MOSIRIRFR3412IRIRFR3504ZTRLPBF.IR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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