IRFR13N15DTRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFR13N15DTRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFR13N15DTRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 180mOhm @ 8.3A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 86W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 620 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFR13N15DTRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFR13N15DTRPBF | IRFR13N20DTRPBF | IRFR13N20DTRLP | IRFR130ATM |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | onsemi |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak | D-Pak | D-Pak | TO-252AA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Tc) | 13A (Tc) | 13A (Tc) | 13A (Tc) |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | - |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 620 pF @ 25 V | 830 pF @ 25 V | 830 pF @ 25 V | 790 pF @ 25 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | 200 V | 200 V | 100 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 29 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 86W (Tc) | 110W (Tc) | 110W (Tc) | 2.5W (Ta), 41W (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 180mOhm @ 8.3A, 10V | 235mOhm @ 8A, 10V | 235mOhm @ 8A, 10V | 110mOhm @ 6.5A, 10V |
IRFR13N15DTRPBF - Infineon TechnologiesのIRFR13N15DTRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFR130AVBSEMIIRFR13N20DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 13A DPAK
IRFR130A MOSFairchild (onsemi)IRFR13N20DTRLPInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 13A DPAKIRFR130ATMonsemiMOSFET N-CH 100V 13A DPAKIRFR13N15DTRPBF.IRIRFR13N15D MOSIRIRFR130ATFFairchild (onsemi)IRFR13N20DTRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 13A DPAKIRFR13N20D MOSIRIRFR13N15DIR
IRFR13N15DPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 14A DPAKIRFR13N20DTRPBF.IRIRFR13N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 13A DPAKIRFR12N25DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 14A DPAKIRFR13N20DIRIRFR15N10DCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFR12N25DTRRPBFIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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