IRFP460PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFP460PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFP460PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 270mOhm @ 12A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 280W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4200 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 210 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFP460 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFP460PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFP460PBF | IRFP460PBF | IRFP460LCPBF | IRFP460BPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±30V | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 270mOhm @ 12A, 10V | 270mOhm @ 12A, 10V | 270mOhm @ 12A, 10V | 250mOhm @ 10A, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 210 nC @ 10 V | 210 nC @ 10 V | 120 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 280W (Tc) | 280W (Tc) | 280W (Tc) | 278W (Tc) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) | 20A (Tc) | 20A (Tc) | 20A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 500 V | 500 V | 500 V |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 基本製品番号 | IRFP460 | IRFP460 | IRFP460 | IRFP460 |
| シリーズ | HEXFET® | - | - | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4200 pF @ 25 V | 4200 pF @ 25 V | 3600 pF @ 25 V | 3094 pF @ 100 V |
IRFP460PBF - Infineon TechnologiesのIRFP460PBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFP460PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 20A TO247-3IRFP460LCPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 20A TO247-3IRFP460BPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
IRFP460ConsemiMOSFET N-CH 500V 20A TO3P
IRFP460STMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 18.4A TO247-3
IRFP4710PBFInternational RectifierIRFP4710 - 12V-300V N-CHANNEL PO
IRFP460CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 20A TO3PIRFP460AVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 20A TO247-3IRFP4668IRIRFP460APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 20A TO247-3IRFP4688PBFIRIRFP460NIRIRFP460ZIRIRFP4668PBF MOSIRIRFP460LCVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
IRFP460PBF MOSElectro-Films (EFI) / Vishay
IRFP4668PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
IRFP470IXYSMOSFET N-CH 500V 24A TO247AD| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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