IRFP250MPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFP250MPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFP250MPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 75mOhm @ 18A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 214W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2159 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 123 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFP250 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFP250MPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFP250MPBF | IRFP240PBF | IRFP254NPBF | IRFP254B |
| メーカー | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Fairchild Semiconductor |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 123 nC @ 10 V | 70 nC @ 10 V | 100 nC @ 10 V | 123 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±30V |
| 電力消費（最大） | 214W (Tc) | 150W (Tc) | 220W (Tc) | 221W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| シリーズ | HEXFET® | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 75mOhm @ 18A, 10V | 180mOhm @ 12A, 10V | 125mOhm @ 14A, 10V | 140mOhm @ 12.5A, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | 200 V | 250 V | 250 V |
| 基本製品番号 | IRFP250 | IRFP240 | IRFP254 | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC | TO-3P |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2159 pF @ 25 V | 1300 pF @ 25 V | 2040 pF @ 25 V | 3400 pF @ 25 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Tc) | 20A (Tc) | 23A (Tc) | 25A (Tc) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
IRFP250MPBF - Infineon TechnologiesのIRFP250MPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFP250MIRIRFP240PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 20A TO247-3IRFP254NPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 23A TO247-3IRFP250NIRIRFP254BFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETIRFP244PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 15A TO247-3IRFP250AFairchild (onsemi)
IRFP250NPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFP245Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETIRFP243Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETIRFP244Vishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 15A TO247-3IRFP244Harris CorporationMOSFET N-CH 250V 15A TO247-3IRFP254Vishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 23A TO247-3
IRFP250STMicroelectronicsMOSFET N-CH 200V 33A TO247-3IRFP254PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 23A TO247-3IRFP250PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
IRFP250IXYSMOSFET N-CH 200V 30A TO247ADIRFP250NPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 30A TO247AC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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