画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
IRFP140N - Infineon Technologies
- メーカー 部品型番
- IRFP140N
- Allelco 部品型番
- 32D-IRFP140N
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 100V 33A TO247AC
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-247-3
- データシート
IRFP140N.pdf
- 在庫あり: 5410
IRFP140Nの技術仕様
Infineon Technologies - IRFP140N技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFP140N仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 52mOhm @ 16A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 140W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Bag |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1400 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 94 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 33A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFP140Nと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFP140N | IRFP150A | IRFP1405PBF | IRFP150MPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | onsemi | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC | TO-3PN | TO-247AC | TO-247AC |
| シリーズ | HEXFET® | - | HEXFET® | HEXFET® |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 33A (Tc) | 43A (Tc) | 95A (Tc) | 42A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 52mOhm @ 16A, 10V | 40mOhm @ 21.5A, 10V | 5.3mOhm @ 95A, 10V | 36mOhm @ 23A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 電力消費（最大） | 140W (Tc) | 193W (Tc) | 310W (Tc) | 160W (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 55 V | 100 V |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1400 pF @ 25 V | 2270 pF @ 25 V | 5600 pF @ 25 V | 1900 pF @ 25 V |
| パッケージ | Bag | Tube | Tube | Tube |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 94 nC @ 10 V | 97 nC @ 10 V | 180 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
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IRFP1405NPBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFP150AonsemiMOSFET N-CH 100V 43A TO3PNIRFP064NPBF-MXCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFP1405PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 95A TO247ACIRFP150MPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
IRFP064PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 70A TO247-3IRFP150NInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 42A TO247ACIRFP140NPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 33A TO247AC
IRFP150Harris CorporationMOSFET N-CH 100V 41A TO247-3IRFP1405Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 95A TO247AC
IRFP150AFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 43A TO3PNIRFP140PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 31A TO247-3IRFP064VIRIRFP140Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 31A TO247-3IRFP150MIRIRFP064VPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 130A TO247ACIRFP1405HIRIRFP150Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 41A TO247-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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