IRFP064NPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFP064NPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFP064NPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8mOhm @ 59A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 200W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4000 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 170 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 110A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFP064 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFP064NPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFP064NPBF | IRFP048PBF | IRFP064 | IRFP064VPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Infineon Technologies |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Bag |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 170 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 190 nC @ 10 V | 260 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8mOhm @ 59A, 10V | 18mOhm @ 44A, 10V | 9mOhm @ 78A, 10V | 5.5mOhm @ 78A, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 110A (Tc) | 70A (Tc) | 70A (Tc) | 130A (Tc) |
| 基本製品番号 | IRFP064 | IRFP048 | IRFP064 | - |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 電力消費（最大） | 200W (Tc) | 190W (Tc) | 300W (Tc) | 250W (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4000 pF @ 25 V | 2400 pF @ 25 V | 7400 pF @ 25 V | 6760 pF @ 25 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| シリーズ | HEXFET® | - | - | HEXFET® |
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IRFP054VIRIRFP048PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 70A TO247-3IRFP064Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 70A TO247-3IRFP1405HIRIRFP064VPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 130A TO247ACIRFP054PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
IRFP064NPBF-MXCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFP064PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 70A TO247-3IRFP064VIRIRFP048NPBF MOSIRIRFP064NPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFP054Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 70A TO247-3IRFP048NPBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRFP054NInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 81A TO247ACIRFP1405Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 95A TO247AC
IRFP140Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 31A TO247-3IRFP054NPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 81A TO247ACIRFP064NIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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