IRFL4105TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFL4105TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFL4105TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 45mOhm @ 3.7A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 660 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 35 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.7A (Ta) | |
| 基本製品番号 | IRFL4105 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFL4105TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFL4105TRPBF | IRFL4105TR | IRFL4315 | IRFL214TRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 660 pF @ 25 V | 660 pF @ 25 V | 420 pF @ 25 V | 140 pF @ 25 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 | SOT-223 | SOT-223 | SOT-223 |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 1W (Ta) | 1W (Ta) | 2.8W (Ta) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 35 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 19 nC @ 10 V | 8.2 nC @ 10 V |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 基本製品番号 | IRFL4105 | - | - | IRFL214 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | 55 V | 150 V | 250 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 45mOhm @ 3.7A, 10V | 45mOhm @ 3.7A, 10V | 185mOhm @ 1.6A, 10V | 2Ohm @ 470mA, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.7A (Ta) | 3.7A (Ta) | 2.6A (Ta) | 790mA (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±30V | ±20V |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| FET特長 | - | - | - | - |
IRFL4105TRPBF - Infineon TechnologiesのIRFL4105TRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFL4105TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223IRFL4315Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
IRFL3803SIRIRFL4310IRIRFL4315 MOSIRIRFL2605TRIRIRFL214TRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 790MA SOT223IRFL4310TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
IRFL4315PBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRFL4105PBF FL4105IRIRFL4310TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223IRFL4310PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223IRFL4105 MOSIRIRFL4105TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFL214TRPBF-BE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 790MA SOT223IRFL4310 MOSIRIRFL214TRPBF MOSIRIRFL4105Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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