画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
IRFL024Z - Infineon Technologies
- メーカー 部品型番
- IRFL024Z
- Allelco 部品型番
- 32D-IRFL024Z
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-261-4, TO-261AA
- データシート
- IRFL024Z.pdf
- 在庫あり: 3820
IRFL024Zの技術仕様
Infineon Technologies - IRFL024Z技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFL024Z仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 57.5mOhm @ 3.1A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 340 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.1A (Ta) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFL024Zと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFL024Z | IRFL024ZPBF | IRFL1006PBF | IRFL024ZTRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 | SOT-223 | SOT-223 | SOT-223 |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.1A (Ta) | 5.1A (Ta) | 1.6A (Ta) | 5.1A (Ta) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | 55 V | 60 V | 55 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 340 pF @ 25 V | 340 pF @ 25 V | 160 pF @ 25 V | 340 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V | 8 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 57.5mOhm @ 3.1A, 10V | 57.5mOhm @ 3.1A, 10V | 220mOhm @ 1.6A, 10V | 57.5mOhm @ 3.1A, 10V |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電力消費（最大） | 1W (Ta) | 1W (Ta) | 1W (Ta) | 1W (Ta) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
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IRFL024ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
IRFL024ZTRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IRFL024IRIRFL1006PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223IRFL024ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223IRFL024NTRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223IRFL024NTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223IRFL024TRPBFIRIRFL014ZTRPBFIR
IRFL014TRPBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRFL024NPBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRFL1006Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223IRFL110Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223IRFL024NQTRPBFIRIRFL1006TRPBFIRIRFL024ZTRPBF.IRIRFL024NInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223IRFL024NTRPBF MOSIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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