IRFHM830DTRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFHM830DTRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFHM830DTRPBF仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Infineon Technologies | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.35V @ 50µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PQFN (3x3) | |
シリーズ | HEXFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.3mOhm @ 20A, 10V | |
電力消費(最大) | 2.8W (Ta), 37W (Tc) | |
パッケージ/ケース | 8-VQFN Exposed Pad | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1797 pF @ 25 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 27 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A (Ta), 40A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFHM830DTRPBFと同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | IRFHM830DTRPBF | IRFHM830TRPBF | IRFHM8330TRPBF | IRFHM8326TRPBF |
メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A (Ta), 40A (Tc) | 21A (Ta), 40A (Tc) | 16A (Ta), 55A (Tc) | 19A (Ta) |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
FET特長 | - | - | - | - |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 8-VQFN Exposed Pad | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerTDFN |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 27 nC @ 10 V | 31 nC @ 10 V | 20 nC @ 10 V | 39 nC @ 10 V |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
サプライヤデバイスパッケージ | PQFN (3x3) | 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) | 8-PQFN (3.3x3.3) | - |
Vgs(最大) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.3mOhm @ 20A, 10V | 3.8mOhm @ 20A, 10V | 6.6mOhm @ 20A, 10V | 4.7mOhm @ 20A, 10V |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.35V @ 50µA | 2.35V @ 50µA | 2.35V @ 25µA | 2.2V @ 50µA |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - | 4.5V, 10V |
シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1797 pF @ 25 V | 2155 pF @ 25 V | 1450 pF @ 25 V | 2496 pF @ 10 V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
電力消費(最大) | 2.8W (Ta), 37W (Tc) | 2.7W (Ta), 37W (Tc) | 2.7W (Ta), 33W (Tc) | 2.8W (Ta), 37W (Tc) |
IRFHM830DTRPBF - Infineon TechnologiesのIRFHM830DTRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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