IRFH7885TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFH7885TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFH7885TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.6V @ 150µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | |
| シリーズ | FASTIRFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.9mOhm @ 50A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.6W (Ta), 156W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-VQFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2311 pF @ 40 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 54 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Ta) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFH7885TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFH7885TRPBF | IRFH7545TRPBF | IRFH7914TRPBF | IRFH7440TRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Ta) | 85A (Tc) | 15A (Ta), 35A (Tc) | 85A (Tc) |
| 電力消費（最大） | 3.6W (Ta), 156W (Tc) | 83W (Tc) | 3.1W (Ta) | 104W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 6V, 10V | 4.5V, 10V | 6V, 10V |
| パッケージ/ケース | 8-VQFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 54 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 12 nC @ 4.5 V | 138 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2311 pF @ 40 V | 3890 pF @ 25 V | 1160 pF @ 15 V | 4574 pF @ 25 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.9mOhm @ 50A, 10V | 5.2mOhm @ 51A, 10V | 8.7mOhm @ 14A, 10V | 2.4mOhm @ 50A, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | FASTIRFET™ | StrongIRFET™ | HEXFET® | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80 V | 60 V | 30 V | 40 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.6V @ 150µA | 3.7V @ 100µA | 2.35V @ 25µA | 3.9V @ 100µA |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
IRFH7885TRPBF - Infineon TechnologiesのIRFH7885TRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFH7545IRIRFH7914IRIRFH7914TRPBF.IRIRFH7545TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 85A PQFNIRFH7914TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 15A/35A 8PQFNIRFH7911TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFNIRFH7440TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 85A 8PQFNIRFH7545TRPBFVCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFH7914TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 15A PQFN56IRFH7446TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6IRFH7446TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 85A 8PQFNIRFH7911MIRIRFH7440TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 85A 8PQFNIRFH7882TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 26A 8PQFNIRFH7446IRIRFH7787TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 68A PQFNIRFH7914TRPBF MOSIRIRFH7914PBFIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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