IRFH5304TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFH5304TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFH5304TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 50µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.5mOhm @ 47A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.6W (Ta), 46W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2360 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 41 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Ta), 79A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFH5304 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFH5304TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFH5304TRPBF | IRFH5304TR2PBF | IRFH5302DTRPBF | IRFH5406TRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 41 nC @ 10 V | 41 nC @ 10 V | 55 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.5mOhm @ 47A, 10V | 4.5mOhm @ 47A, 10V | 2.5mOhm @ 50A, 10V | 14.4mOhm @ 24A, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V | - | ±20V | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2360 pF @ 10 V | 2360 pF @ 10 V | 3635 pF @ 25 V | 1256 pF @ 25 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 60 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Ta), 79A (Tc) | 22A (Ta), 79A (Tc) | 29A (Ta), 100A (Tc) | 11A (Ta), 40A (Tc) |
| 基本製品番号 | IRFH5304 | - | IRFH5302 | IRFH5406 |
| 電力消費（最大） | 3.6W (Ta), 46W (Tc) | - | 3.6W (Ta), 104W (Tc) | 3.6W (Ta), 46W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | - | 4.5V, 10V | 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 50µA | 2.35V @ 50µA | 2.35V @ 100µA | 4V @ 50µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | PQFN (5x6) Single Die | 8-PQFN (5x6) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| シリーズ | HEXFET® | - | HEXFET® | HEXFET® |
IRFH5304TRPBF - Infineon TechnologiesのIRFH5304TRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFH5304TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 22A 8VQFNIRFH5302DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 29A/100A PQFNIRFH5406TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 11A/40A 8PQFNIRFH5306TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 15A/44A PQFNIRFH5303TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 23A/82A 8PQFNIRFH5306PBFIRIRFH5302TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFNIRFH5302TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFNIRFH5302TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFH5302PBFIRIRFH5304IRIRFH6200TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFNIRFH5303TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 23A/82A 8PQFNIRFH5306IRIRFH5406TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 40A 5X6 PQFNIRFH6200TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFNIRFH5302DTRPBF MOSIRIRFH5306TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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