IRFF131の技術仕様
International Rectifier - IRFF131技術仕様、属性、パラメーター、およびInternational Rectifier - IRFF131仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Infineon Technologies | |
同上@ VGS(TH)(最大) | - | |
Vgs(最大) | - | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-205AF (TO-39) | |
シリーズ | - | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | - | |
電力消費(最大) | - |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ/ケース | TO-205AF Metal Can | |
パッケージ | Bulk | |
運転温度 | - | |
装着タイプ | Through Hole | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8A (Tc) |
右側の三つのパーツはInternational Rectifier IRFF131と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | IRFF131 | IRFD9210PBF | IRFF221 | IRFD9220PBF |
メーカー | International Rectifier | Vishay Siliconix | Harris Corporation | Vishay Siliconix |
Vgs(最大) | - | ±20V | ±20V | ±20V |
FET特長 | - | - | - | - |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-205AF (TO-39) | 4-HVMDIP | TO-205AF (TO-39) | 4-HVMDIP |
FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
運転温度 | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80 V | 200 V | 150 V | 200 V |
同上@ VGS(TH)(最大) | - | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | - | 3Ohm @ 240mA, 10V | 800mOhm @ 2A, 10V | 1.5Ohm @ 340mA, 10V |
パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Tube |
パッケージ/ケース | TO-205AF Metal Can | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | TO-205AF Metal Can | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
シリーズ | - | - | - | - |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8A (Tc) | 400mA (Ta) | 3.5A (Tc) | 560mA (Ta) |
電力消費(最大) | - | 1W (Ta) | 20W (Tc) | 1W (Ta) |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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