IRFB3306PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFB3306PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFB3306PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 150µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.2mOhm @ 75A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 230W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4520 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 120 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFB3306 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFB3306PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFB3306PBF | IRFB3306GPBF | IRFB3307 | IRFB3256PBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4520 pF @ 50 V | 4520 pF @ 50 V | 5150 pF @ 50 V | 6600 pF @ 48 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 150µA | 4V @ 150µA | 4V @ 150µA | 4V @ 150µA |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 60 V | 75 V | 60 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 230W (Tc) | 230W (Tc) | 250W (Tc) | 300W (Tc) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.2mOhm @ 75A, 10V | 4.2mOhm @ 75A, 10V | 6.3mOhm @ 75A, 10V | 3.4mOhm @ 75A, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 基本製品番号 | IRFB3306 | IRFB3306 | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 120 nC @ 10 V | 120 nC @ 10 V | 180 nC @ 10 V | 195 nC @ 10 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) | 120A (Tc) | 130A (Tc) | 75A (Tc) |
IRFB3306PBF - Infineon TechnologiesのIRFB3306PBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFB3306GPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 120A TO220ABIRFB3307Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
IRFB3307ZIRIRFB3306GIRIRFB3307ZGIRIRFB3256PBFInternational RectifierIRFB3256 - 12V-300V N-CHANNEL POIRFB32N20IRIRFB3207ZPBF MOSIRIRFB3307PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 130A TO220ABIRFB3306PBF MXIRIRFB3306IRIRFB3307ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 120A TO220ABIRFB32N20DIRIRFB3307PBF.IRIRFB3307GIR/VISHAYIRFB3256IRIRFB3307ZGPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 120A TO220ABIRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 120A TO220AB| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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