IRFB3006GPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFB3006GPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFB3006GPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.5mOhm @ 170A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 375W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8970 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 300 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 195A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFB3006 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFB3006GPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFB3006GPBF | IRFB3004GPBF | IRFB3004PBF | IRFB260NPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 195A (Tc) | 195A (Tc) | 195A (Tc) | 56A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 375W (Tc) | 380W (Tc) | 380W (Tc) | 380W (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8970 pF @ 50 V | 9200 pF @ 25 V | 9200 pF @ 25 V | 4220 pF @ 25 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | IRFB3006 | - | IRFB3004 | IRFB260 |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.5mOhm @ 170A, 10V | 1.75mOhm @ 195A, 10V | 1.75mOhm @ 195A, 10V | 40mOhm @ 34A, 10V |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 300 nC @ 10 V | 240 nC @ 10 V | 240 nC @ 10 V | 220 nC @ 10 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 40 V | 40 V | 200 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
IRFB3006GPBF - Infineon TechnologiesのIRFB3006GPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFB3006IRIRFB3006GIRIRFB3004GIRIRFB31N20IRIRFB3004GPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 195A TO220ABIRFB3004PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 195A TO220ABIRFB31N20DIRIRFB260NPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 56A TO220ABIRFB260NIRIRFB3006PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
IRFB3004Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFB3077GIRIRFB23N50DIRIRFB3077IRIRFB3004PBF MOSIRIRFB31N20DPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 200V 31A TO220ABIRFB3077PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 120A TO220ABIRFB3077GPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 120A TO220AB| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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