IRFB23N20DPBFの技術仕様
International Rectifier - IRFB23N20DPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInternational Rectifier - IRFB23N20DPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 100mOhm @ 14A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.8W (Ta), 170W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1960 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 86 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 24A (Tc) |
右側の三つのパーツはInternational Rectifier IRFB23N20DPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFB23N20DPBF | IRFB20N50KPBF | IRFB23N20D | IRFB23N15DPBF |
| メーカー | International Rectifier | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | International Rectifier |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | 500 V | 200 V | 150 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | HEXFET® | - | HEXFET® | HEXFET® |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 24A (Tc) | 20A (Tc) | 24A (Tc) | 23A (Tc) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 100mOhm @ 14A, 10V | 250mOhm @ 12A, 10V | 100mOhm @ 14A, 10V | 90mOhm @ 14A, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 86 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 86 nC @ 10 V | 56 nC @ 10 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1960 pF @ 25 V | 2870 pF @ 25 V | 1960 pF @ 25 V | 1200 pF @ 25 V |
| 電力消費（最大） | 3.8W (Ta), 170W (Tc) | 280W (Tc) | 3.8W (Ta), 170W (Tc) | 3.8W (Ta), 136W (Tc) |
IRFB23N50DIRIRFB20N50KPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 20A TO220ABIRFB3004PBF MOSIRIRFB20N50KIRIRFB23N20DInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 24A TO220ABIRFB23N15DPBFInternational RectifierIRFB23N15 - SMPS HEXFET POWER MOIRFB260NIRIRFB3004Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFB3004GIRIRFB18N50KPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 17A TO220ABIRFB18N50KVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 17A TO220ABIRFB260NPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 56A TO220AB
IRFB20N50KPBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRFB3004GPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 195A TO220ABIRFB23N15DIRIRFB3006IRIRFB3004PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 195A TO220ABIRFB18N50KPBF MOSElectro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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