IRF9540NPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF9540NPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF9540NPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 117mOhm @ 11A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 140W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1300 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 97 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 23A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRF9540 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF9540NPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF9540NPBF | IRF9540NLPBF | IRF9530STRLPBF | IRF9540NSTRLPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Infineon Technologies |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | TO-262 | D²PAK (TO-263) | D2PAK |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 23A (Tc) | 23A (Tc) | 12A (Tc) | 23A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1300 pF @ 25 V | 1450 pF @ 25 V | 860 pF @ 25 V | 1450 pF @ 25 V |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | - | HEXFET® |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 電力消費（最大） | 140W (Tc) | 3.1W (Ta), 110W (Tc) | 3.7W (Ta), 88W (Tc) | 3.1W (Ta), 110W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 117mOhm @ 11A, 10V | 117mOhm @ 14A, 10V | 300mOhm @ 7.2A, 10V | 117mOhm @ 14A, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 97 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 基本製品番号 | IRF9540 | IRF9540 | IRF9530 | IRF9540 |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
IRF9540NPBF - Infineon TechnologiesのIRF9540NPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF9540NLPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 23A TO262IRF9530STRLPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 12A D2PAKIRF9540NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 23A D2PAKIRF9540NIRIRF9540Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 19A TO220ABIRF9540NSIRIRF9540NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
IRF9540Fairchild SemiconductorIRF9540 - 19A, 100V, 0.2OHM, P-CIRF9531Harris CorporationMOSFET P-CH 60V 12A TO220ABIRF9540NPBF MOSIRIRF9540NSTRPBFIRIRF9540NS/F9540NSIRIRF9540NSTRRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 23A D2PAKIRF9530S MOSIRIRF9540NSTRPPBFIRIRF9540NS MOSIRIRF9532Harris CorporationP-CHANNEL POWER MOSFETIRF9530STRRPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 12A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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