IRF9530NSの技術仕様
Infineon Technologies - IRF9530NS技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF9530NS仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 200mOhm @ 8.4A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.8W (Ta), 79W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 760 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 58 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF9530NSと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF9530NS | IRF9530NSTRLPBF | IRF9530NPBF | IRF9530NSTRRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 760 pF @ 25 V | 760 pF @ 25 V | 760 pF @ 25 V | 760 pF @ 25 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 58 nC @ 10 V | 58 nC @ 10 V | 58 nC @ 10 V | 58 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 電力消費（最大） | 3.8W (Ta), 79W (Tc) | 3.8W (Ta), 79W (Tc) | 79W (Tc) | 3.8W (Ta), 79W (Tc) |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Tc) | 14A (Tc) | 14A (Tc) | 14A (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 200mOhm @ 8.4A, 10V | 200mOhm @ 8.4A, 10V | 200mOhm @ 8.4A, 10V | 200mOhm @ 8.4A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | D2PAK | TO-220AB | D2PAK |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
IRF9530NS - Infineon TechnologiesのIRF9530NS PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF9530NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
IRF9530NPBF MOSIRIRF9530NLPBFIRIRF9530NSTRIRIRF9530NPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 14A TO220ABIRF9530NSTRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
IRF9530PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 12A TO220ABIRF9530N MOSIRIRF9530NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 14A D2PAKIRF9530NS/F9530NSIRIRF9530NS MOSIRIRF9530Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 12A TO220ABIRF9530NLPBF MOSIRIRF9530Harris CorporationMOSFET P-CH 100V 12A TO220ABIRF9530N MEXIR
IRF9530PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRF9530NSTRPBFIR
IRF9530NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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