IRF8915TRの技術仕様
Infineon Technologies - IRF8915TR技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF8915TR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 18.3mOhm @ 8.9A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 2W | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 540pF @ 10V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7.4nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.9A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | IRF89 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF8915TRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF8915TR | IRF8915TRPBF | IRF8910TRPBF | IRF8915 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.9A | 8.9A | 10A | 8.9A |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.55V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 20V | 20V | 20V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 18.3mOhm @ 8.9A, 10V | 18.3mOhm @ 8.9A, 10V | 13.4mOhm @ 10A, 10V | 18.3mOhm @ 8.9A, 10V |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7.4nC @ 4.5V | 7.4nC @ 4.5V | 11nC @ 4.5V | 7.4nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 540pF @ 10V | 540pF @ 10V | 960pF @ 10V | 540pF @ 10V |
| 基本製品番号 | IRF89 | IRF89 | IRF89 | IRF89 |
| 電力 - 最大 | 2W | 2W | 2W | 2W |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
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IRF8915TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8SO
IRF8910TR MOSIRIRF8N60-Z9IRIRF8915TRPBF MOSIRIRF8910TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOICIRF8915Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOICIRF901D1TRPBFIRIRF9024NTRPBFIRIRF8910TRPBF MOSIRF
IRF8F20STRLPBFElectro-Films (EFI) / VishayIRF8910GTRPBF MOSIRIRF8910TRMO&UIRF8915PBFCT-NDIRIRF9130IRIGBT ModuleIRF8910PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOICIRF901D1IRIRF8910GTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOICIRF8915UTRPBFIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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