IRF8721TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF8721TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF8721TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 25µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.5mOhm @ 14A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1040 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Ta) | |
| 基本製品番号 | IRF8721 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF8721TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF8721TRPBF | IRF8736PBF | IRF8714GTRPBF | IRF8721GTRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 25µA | 2.35V @ 50µA | 2.35V @ 25µA | 2.35V @ 25µA |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Ta) | 18A (Ta) | 14A (Ta) | 14A (Ta) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12 nC @ 4.5 V | 26 nC @ 4.5 V | 12 nC @ 4.5 V | 12 nC @ 4.5 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.5mOhm @ 14A, 10V | 4.8mOhm @ 18A, 10V | 8.7mOhm @ 14A, 10V | 8.5mOhm @ 14A, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | IRF8721 | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1040 pF @ 15 V | 2315 pF @ 15 V | 1020 pF @ 15 V | 1040 pF @ 15 V |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
IRF8721TRPBF - Infineon TechnologiesのIRF8721TRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF8736PBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFET
IRF8736TRIRIRF8714TRPBF MOSIRFIRF8714GTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 14A 8SOIRF8721GTRPBF.IRIRF8714TRIRIRF8734IRIRF8721GIRIRF8736PBF MOSIRIRF8736IRIRF8736TEPBFIRIRF8721TRPBF.IRIRF8721TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF8721GTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 14A 8SOIRF8734TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 21A 8SOIRF8714GTRPBF.IRIRF8714PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 14A 8SOIRF8714TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 14A 8SO| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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