IRF7807VTRの技術仕様
Infineon Technologies - IRF7807VTR技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF7807VTR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 25mOhm @ 7A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.3A (Ta) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF7807VTRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF7807VTR | IRF7807ZTRPBF | IRF7807VD1TR | IRF7807VD1PBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| FET特長 | - | - | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V | 4.5V, 10V | 4.5V | 4.5V |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 25mOhm @ 7A, 4.5V | 13.8mOhm @ 11A, 10V | 25mOhm @ 7A, 4.5V | 25mOhm @ 7A, 4.5V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14 nC @ 5 V | 11 nC @ 4.5 V | 14 nC @ 4.5 V | 14 nC @ 4.5 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | FETKY™ | FETKY™ |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.3A (Ta) | 11A (Ta) | 8.3A (Ta) | 8.3A (Ta) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 2.25V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
IRF7807VTR - Infineon TechnologiesのIRF7807VTR PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF7807TRPBF MOSIRIRF7807ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 11A 8SOIRF7807VD1TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 8.3A 8SOIRF7807VD1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 8.3A 8SOIRF7807VIRIRF7807ZTRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 11A 8SOIRF7807TR MOSIRIRF7807ZInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 11A 8SOIRF7807VTR MOSIRIRF7807VD2Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 8.3A 8SOIRF7807TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
IRF7807VTRPBFInternational RectifierPLANAR <=40VIRF7809AInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIRF7807ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 11A 8SOIRF7807V MOSIRIRF7807Z MOSIRIRF7807TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 8.3A 8SOIRF7809Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 17.6A 8SO| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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