IRF7707TRの技術仕様
Infineon Technologies - IRF7707TR技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF7707TR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±12V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 22mOhm @ 7A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 1.5W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2361 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 47 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7A (Ta) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF7707TRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF7707TR | IRF7739L2TRPBF | IRF7748L1TRPBF | IRF7726TR |
| メーカー | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 22mOhm @ 7A, 4.5V | 1mOhm @ 160A, 10V | 2.2mOhm @ 89A, 10V | 26mOhm @ 7A, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2361 pF @ 15 V | 11880 pF @ 25 V | 8075 pF @ 50 V | 2204 pF @ 25 V |
| Vgs（最大） | ±12V | ±20V | ±20V | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP | DIRECTFET L8 | DIRECTFET L6 | Micro8™ |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | - | HEXFET® |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 47 nC @ 4.5 V | 330 nC @ 10 V | 220 nC @ 10 V | 69 nC @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 1.5W (Ta) | 3.8W (Ta), 125W (Tc) | 3.3W (Ta), 94W (Tc) | 1.79W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | DirectFET™ Isometric L8 | DirectFET™ Isometric L6 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 40 V | 60 V | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7A (Ta) | 46A (Ta), 375A (Tc) | 28A (Ta), 148A (Tc) | 7A (Ta) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
IRF7707TR - Infineon TechnologiesのIRF7707TR PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF7739L2TRPBFInternational RectifierDIRECTFET POWER MOSFET
IRF7739L2TRPBF MOSIRIRF7748L1TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFETIRF7726TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 7A MICRO8IRF7739L1TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFETIRF7702TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 12V 8A 8TSSOPIRF7702TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 12V 8A 8TSSOPIRF7705TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOPIRF7726Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 7A MICRO8IRF7707TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 7A 8TSSOPIRF7739L2TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFETIRF7704Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 4.6A 8TSSOPIRF7706TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 7A 8TSSOPIRF7705Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOPIRF7726TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 7A MICRO8IRF7705TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOPIRF7704TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 4.6A 8TSSOPIRF7706TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 7A 8TSSOP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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