IRF7455TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF7455TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF7455TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±12V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.5mOhm @ 15A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3480 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 56 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.8V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 15A (Ta) | |
| 基本製品番号 | IRF7455 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF7455TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF7455TRPBF | IRF7456PBF | IRF7453PBF | IRF7452TR |
| メーカー | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 56 nC @ 5 V | 62 nC @ 5 V | 38 nC @ 10 V | 50 nC @ 10 V |
| 基本製品番号 | IRF7455 | - | IRF7453 | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3480 pF @ 25 V | 3640 pF @ 15 V | 930 pF @ 25 V | 930 pF @ 25 V |
| Vgs（最大） | ±12V | ±12V | ±30V | ±30V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tube | Tape & Reel (TR) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 20 V | 250 V | 100 V |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.5mOhm @ 15A, 10V | 6.5mOhm @ 16A, 10V | 230mOhm @ 1.3A, 10V | 60mOhm @ 2.7A, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.8V, 10V | 2.8V, 10V | 10V | 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 15A (Ta) | 16A (Ta) | 2.2A (Ta) | 4.5A (Ta) |
IRF7455TRPBF - Infineon TechnologiesのIRF7455TRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF7456PBFInternational RectifierIRF7456 - SMPS HEXFET POWER MOSFIRF7453PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO
IRF7455TRPBF MOSIRIRF7455TRPBF.IRIRF7452TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIRF7456TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 16A 8SOIRF7452TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIRF7455TRIRIRF7452QPBFIRIRF7452TRPBF MOSIRIRF7457Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 15A 8SOIRF7455Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 15A 8SOIRF7453TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 2.2A 8SOIRF7452QTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOICIRF7456 MOSIRIRF7456TRIRIRF7456IRIRF7453TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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