IRF7406GTRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF7406GTRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF7406GTRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 45mOhm @ 2.8A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1100 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 59 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.8A (Ta) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF7406GTRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF7406GTRPBF | IRF7406PBF | IRF7406TRPBF | IRF740A |
| メーカー | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies | Fairchild Semiconductor |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 59 nC @ 10 V | 59 nC @ 10 V | 59 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | - |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 45mOhm @ 2.8A, 10V | 45mOhm @ 2.8A, 10V | 45mOhm @ 2.8A, 10V | 550mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.8A (Ta) | 5.8A (Ta) | 5.8A (Ta) | 10A (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | 8-SO | 8-SO | TO-220AB |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 125W (Tc) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | TO-220-3 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1100 pF @ 25 V | 1100 pF @ 25 V | 1100 pF @ 25 V | 1030 pF @ 25 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 400 V |
IRF7406GTRPBF - Infineon TechnologiesのIRF7406GTRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF7406PBFInternational RectifierAUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE
IRF7406IRIRF7406TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 5.8A 8SOIRF740AFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
IRF740AVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 10A TO220ABIRF7404PBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 6.7A 8SOIRF7404QTRPBF.IRIRF7406GTRPBF.IRIRF7404QIRIRF7404QTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOICIRF7404TRPBF.IRIRF7404 MOSIRIRF7406TRIRIRF740ALVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 10A I2PAKIRF7404TRIRIRF7404TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 6.7A 8SOIRF7404TR MOSIRIRF7406TRPBF MOSIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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